Numéro
J. Phys. France
Volume 29, Numéro 11-12, novembre-décembre 1968
Page(s) 1035 - 1040
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:019680029011-120103500
J. Phys. France 29, 1035-1040 (1968)
DOI: 10.1051/jphys:019680029011-120103500

Quelques effets de photoexcitation d'électrons piégés

A. Tosser

Laboratoire de Physique Expérimentale, Faculté des Sciences, 14-Caen


Abstract
expérimental data on traps in the vicinity of an Al2O3 /Au interface lead to an approximative theory of the photovoltaic effects in Al/Al2O3/Au tunnel structures. The author shows that this theory is consistent with expérimental data on the effect of the luminance of UV illumination, the thickness of the barrier and the extension of traps ; qualitative agremeent is found with the dependence on the temperature of oxidation.


Résumé
En utilisant les données expérimentales relatives aux pièges situés à l'interface Al2O3/Au, l'auteur propose une théorie approchée des effets photovoltaïques observés dans les structures Al/Al2O3/Au ; elle rend compte de la variation de ces effets avec la luminance du flux d'illumination, l'épaisseur de la barrière et la profondeur de la zone de pièges : une interprétation qualitative de l'effet de la température d'oxydation de l'aluminium s'en déduit.

PACS
7363 - Electronic transport in nanoscale materials and structures.

Key words
Charge carrier trapping -- Photoexcitation -- Illumination -- Photovoltaic effects -- Temperature effects -- Oxidation -- Aluminium -- Gold -- Aluminium oxides