J. Phys. France 28, 642-652 (1967)
DOI: 10.1051/jphys:01967002808-9064200

Propriétés électriques et optiques de structures tunnel métal-diélectrique-métal

A. Tosser et P. Thureau

Laboratoire de Physique Expérimentale, Faculté des Sciences de Caen

Abstract
experimental data on the kinetics of conduction and electroluminescence in Al/Al2O3/Au and Al/CaWO4/Au tunnel structures, at 77 °K and 290 °K, and a photovoltaic effect, allow us to suppose the existence of a semiconducting zone at the Al/dielectric interface and the presence of traps near metal/CaWO4 interfaces - with several quasi Fermi levels - and near the Al2O3/Au interface - with two quasi Fermi levels whose energy is independant of dielectric thickness.

Résumé
La nature de la cinétique de conduction et de l'électroluminescence de structures tunnel du type Al/Al2O3/Au et Al/CaWO4/Au, à 77 °K et 290 °K, et l'existence d'un effet photovoltaïque permettent de supposer l'existence d'une zone semi-conductrice de type n à l'interface Al/diélectrique et la présence de niveaux-pièges au voisinage des interfaces métal/ CaWO4 - avec de nombreux quasi-niveaux de Fermi - et au voisinage de l'interface Al2O3/Au - avec deux quasi-niveaux de Fermi dont l'énergie ne dépend pas de l'épaisseur de diélectrique.

PACS
7340R - Metal-insulator-metal structures.
7866 - Optical properties of specific thin films.

Key words
electrical conductivity -- Fermi level -- dielectric devices -- electroluminescence -- photovoltaic effects -- aluminium compounds -- calcium compounds