J. Phys. France 28, 563-572 (1967)
DOI: 10.1051/jphys:01967002807056300

Coefficient de Hall et résistivité du germanium dopé à l'arsenic en fonction de la température

M. J. F. Le Hir

Centre National d'Études des Télécommunications

Abstract
The Hall coefficient, resistivity and magnetoresistivity of seventeen As-doped germanium samples have been measured between 2 °K and 300 °K. The expérimental results show a typical behaviour of impurity conduction : conduction by hopping for ND ≤ 1.10^16 cm-3, for which the activation energy ε3 can be predicted by the Miller and Abrahams theory, conduction by impurity band for 1.10^16 cm-3 ≤ ND ≤ 2.10^17 cm-3. The decrease of the ionisation energy ε1 of As in germanium at high concentrations seems to be in agreement with the theory of Volkov and Matveev.

Résumé
Le coefficient de Hall, la résistivité et la magnétorésistance ont été mesurés sur 17 échantillons en germanium dopé à l'arsenic entre 2 °K et 300°K. Les résultats montrent un comportement typique de la conduction par impuretés : conduction par « sauts » pour ND ≤ 1.10^16 cm-3, domaine de concentrations où la théorie de Miller et Abrahams s'applique dans le calcul de l'énergie d'activation ε3, conduction par « bande d'impuretés » pour 1.10^16 cm-3 ≤ ND ≤ 2.10^17 cm-3. La décroissance de l'énergie d'ionisation de l'arsenic dans le germanium en fortes concentrations semble être en accord avec le calcul de Volkov et Matveev.

PACS
7220M - Galvanomagnetic and other magnetotransport effects.
7220E - Mobility edges; hopping transport.
7210F - Scattering by point defects, dislocations, surfaces, and other imperfections (including Kondo effect).

Key words
Hall effect -- electric resistance -- semiconductors -- germanium -- elemental semiconductors -- magnetoresistance -- low temperature phenomena