Spectre de vibrations du silicium : mesures et interprétation

Abstract
The object of this work is the study of weak X-ray scattering by a crystal of silicon ; this scattering is observed apart from Bragg reflections ; it is produced by thermal motion of atoms and by the Compton effect. The measurements of X-ray scattering by monocystals of silicon allow determination of the Compton effect in silicon and frequencies of thermal waves travelling along the [100] and [111] axes of the crystal, at the temperatures of 293 and 580 °K.

Résumé
L'objet de ce travail est l'étude de la diffusion faible des rayons X par un cristal de silicium ; cette diffusion est observée en dehors des réflexions sélectives de Bragg ; elle est provoquée par l'agitation thermique des atomes et par l'effet Compton. La photométrie des rayons X diffusés par des monocristaux de silicium a permis de déterminer l'intensité de la diffusion par effet Compton du silicium et les fréquences des oscillations thermiques qui se propagent suivant les axes de symétrie quaternaire et ternaire du cristal, aux températures de 293 et 580 °K.