J. Phys. France 24, 279-283 (1963)
DOI: 10.1051/jphys:01963002404027900

Etude de la recombinaison des porteurs de charges sur les défauts de réseau dans le germanium

Léone Gouskov¹ et Françoise Lubat<sup>2

1</sup>  Laboratoire d'Électrostatique et de Physique du Métal, Grenoble
²  Département P. C. M. du Centre National d'Études des Télécommunications

Abstract
This paper describes experimental results determining precisely the effect of lattice defects, such as dislocations or thermal treatment vacancies upon charge carrier recombination in germanium. The results are of interest 3 in connection with low temperature semiconductor lasers, to decrease leakages by short circuit of the stimulated transition.

Résumé
Cette note a pour but de décrire quelques résultats expérimentaux permettant de préciser l'effet des défauts de réseau tels que les dislocations ou les vacances introduites par traitement thermique sur la recombinaison des porteurs de charge dans le germanium. Les résultats présentent un intérêt en vue de la conception de lasers à semiconducteur fonctionnant à basse température afin de diminuer les fuites par court-circuit de la transition stimulée.

PACS
6172L - Linear defects: dislocations, disclinations.
4270H - Laser materials.

Key words
crystal defects -- lasers -- germanium -- elemental semiconductors