J. Phys. France 50, 2445-2453 (1989)
DOI: 10.1051/jphys:0198900500180244500
A cell theory for stage IV work hardening of metals and semiconductors
P. HaasenInstitut für Metallphysik, Universität Göttingen, D-3400 Göttingen, F.R.G.
Abstract
Work hardening of fcc metals and diamond structure crystals is considered in a cell model. Depending on stacking fault energy and temperature dynamic recovery can occur by cross slip or climb. The remaining dislocations cause a rehardening stage IV of two different origins and in two temperature ranges before the other dynamic recovery mechanism terminates work hardening.
Résumé
Le durcissement dans les métaux cubiques à faces centrées et les cristaux de structure diamant est analysé dans un modèle cellulaire. Selon l'énergie des fautes d'empilement et la température, la guérison dynamique peut s'effectuer soit par glissement dévié, soit par montée. Les dislocations subsistantes provoquent un redurcissement de stade IV dont l'origine est double et correspondant à deux fourchettes de température avant que l'autre mécanisme dynamique de guérison achève le durcissement.
6220F - Deformation and plasticity (including yield, ductility, and superplasticity).
8140E - Cold working, work hardening; annealing, post-deformation annealing, quenching, tempering recovery, and crystallization.
6172H - Indirect evidence of dislocations and other defects (resistivity, slip, creep, strains, internal friction, EPR, NMR, etc.).
Key words
dislocation climb -- metals -- semiconductors -- slip -- stacking faults -- work hardening